Transistor de canal N RFP50N06, TO-220, 60V, 50A, 50A, 50uA, 0.022 Ohms, TO-220AB, 60V. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.022 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 60V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 37 ns. C (pol.): 2020pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2020pF. Condicionamento: tubo de plástico. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Custo): 600pF. Diodo Trr (mín.): 125 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 131W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Função: MegaFET. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 50A. IDss (min): 1uA. Marcação do fabricante: RFP50N06. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 131W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 37 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura máxima: +175°C.. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30