Transistor de canal N RFP12N10L, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 900pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 325pF. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Função: Transistor N MOSFET. IDss (min): 1uA. Id(im): 30A. Marcação na caixa: F12N10L. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: MegaFET process, Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+155°C. Tensão porta/fonte Vgs: 10V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30