Transistor de canal N RFD14N05L, TO-251AA, 50V
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2.42€
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Transistor de canal N RFD14N05L, TO-251AA, 50V. Carcaça: TO-251AA. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 50V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 42 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 670pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 14A. Marcação do fabricante: RFD14N05L. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Produto original do fabricante: Onsemi (fairchild). Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:06
RFD14N05L
16 parâmetros
Carcaça
TO-251AA
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
50V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
42 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
670pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.1 Ohms @ 14A
Dissipação máxima Ptot [W]
48W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
14A
Marcação do fabricante
RFD14N05L
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+175°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
13 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
2V
Produto original do fabricante
Onsemi (fairchild)