Transistor de canal N PSMN015-100P, 60.8A, 75A, 500uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 100V. DI (T=100°C): 60.8A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 12m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 4900pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 390pF. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 0.05uA. Id(im): 240A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). Td(desligado): 95 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: transistor de efeito de campo em modo de aprimoramento. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Philips Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30