Transistor de canal N PSMN013-100BS-118, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V

Transistor de canal N PSMN013-100BS-118, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.30€
5-9
2.07€
10-24
1.91€
25-49
1.77€
50+
1.57€
Quantidade em estoque: 54

Transistor de canal N PSMN013-100BS-118, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V. DI (T=100°C): 47A. DI (T=25°C): 68A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 13.9m Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK (SOT404). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 3195pF. Custo): 221pF. Diodo Trr (mín.): 52 ns. Função: comutação padrão. IDss (min): 0.06uA. Id(im): 272A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 52.5 ns. Td(ligado): 20.7 ns. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Nxp Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30

PSMN013-100BS-118
28 parâmetros
DI (T=100°C)
47A
DI (T=25°C)
68A
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
13.9m Ohms
Carcaça
D2PAK ( TO-263 )
Habitação (conforme ficha técnica)
D2PAK (SOT404)
Tensão Vds(máx.)
100V
C (pol.)
3195pF
Custo)
221pF
Diodo Trr (mín.)
52 ns
Função
comutação padrão
IDss (min)
0.06uA
Id(im)
272A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
170W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
52.5 ns
Td(ligado)
20.7 ns
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Nxp Semiconductors