Transistor de canal N PMV213SN, SOT-23, TO-236AB, 100V

Transistor de canal N PMV213SN, SOT-23, TO-236AB, 100V

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Transistor de canal N PMV213SN, SOT-23, TO-236AB, 100V. Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 9.5 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 330pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 1.9A. Marcação do fabricante: PMV213SN. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 5.5 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Produto original do fabricante: Nxp. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:42

Documentação técnica (PDF)
PMV213SN
17 parâmetros
Carcaça
SOT-23
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-236AB
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
100V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
9.5 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
330pF
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.25 Ohms @ 0.5A
Dissipação máxima Ptot [W]
2W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
1.9A
Marcação do fabricante
PMV213SN
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
5.5 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
4 v
Produto original do fabricante
Nxp