Transistor de canal N PHB45N03LT, 30A, 45A, 10uA, 0.016 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 25V. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 45A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-404. Tensão Vds(máx.): 25V. C (pol.): 920pF. Custo): 260pF. Diodo Trr (mín.): 52 ns. Função: Transistor de potência de efeito de campo, Controle de nível lógico. IDss (min): 0.05uA. Id(im): 180A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 86W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 78 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: TrenchMOS transistor. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 15V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Philips Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30