Transistor de canal N P75N02LD, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V

Transistor de canal N P75N02LD, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.50€
5-49
1.24€
50-99
1.04€
100+
0.94€
Quantidade em estoque: 363

Transistor de canal N P75N02LD, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 75A. Idss: 25uA. Idss (máx.): 75A. On-resistência Rds On: 5M Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 5000pF. Custo): 1800pF. Diodo Trr (mín.): 37 ns. Função: Modo de aprimoramento de nível lógico. Id(im): 170A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 24 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Niko-semi. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30

Documentação técnica (PDF)
P75N02LD
26 parâmetros
DI (T=100°C)
50A
DI (T=25°C)
75A
Idss
25uA
Idss (máx.)
75A
On-resistência Rds On
5M Ohms
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-252 ( D-PAK )
Tensão Vds(máx.)
20V
C (pol.)
5000pF
Custo)
1800pF
Diodo Trr (mín.)
37 ns
Função
Modo de aprimoramento de nível lógico
Id(im)
170A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
60W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
24 ns
Td(ligado)
7 ns
Tecnologia
Transistor de efeito de campo
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Produto original do fabricante
Niko-semi