Transistor de canal N P2804BDG, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V

Transistor de canal N P2804BDG, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.87€
5-24
1.55€
25-49
1.31€
50+
1.16€
Quantidade em estoque: 779

Transistor de canal N P2804BDG, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 10A. On-resistência Rds On: 0.03 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 790pF. Custo): 175pF. Diodo Trr (mín.): 15.5 ns. Função: Aprimoramento de nível lógico. Id(im): 40A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: não. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 11.8 ns. Td(ligado): 2.2 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Niko-semi. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30

Documentação técnica (PDF)
P2804BDG
25 parâmetros
DI (T=100°C)
8A
DI (T=25°C)
10A
Idss
1uA
Idss (máx.)
10A
On-resistência Rds On
0.03 Ohms
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-252 ( D-PAK )
Tensão Vds(máx.)
40V
C (pol.)
790pF
Custo)
175pF
Diodo Trr (mín.)
15.5 ns
Função
Aprimoramento de nível lógico
Id(im)
40A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Pd (dissipação de energia, máx.)
32W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
não
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
11.8 ns
Td(ligado)
2.2 ns
Tecnologia
Transistor de efeito de campo
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Produto original do fabricante
Niko-semi