Transistor de canal N NTD4804NT4G, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Transistor de canal N NTD4804NT4G, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.88€
5-24
1.64€
25-49
1.47€
50-99
1.36€
100+
1.20€
Quantidade em estoque: 32

Transistor de canal N NTD4804NT4G, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=100°C): 96A. DI (T=25°C): 124A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 3.4M Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 4490pF. Custo): 952pF. Diodo Trr (mín.): 34 ns. IDss (min): 1uA. Id(im): 230A. Marcação na caixa: 4804NG. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: serigrafia/código SMD 4804NG. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 107W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: ID pulse 230A. Td(desligado): 24 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30

Documentação técnica (PDF)
NTD4804NT4G
32 parâmetros
DI (T=100°C)
96A
DI (T=25°C)
124A
Idss (máx.)
10uA
On-resistência Rds On
3.4M Ohms
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Tensão Vds(máx.)
30 v
C (pol.)
4490pF
Custo)
952pF
Diodo Trr (mín.)
34 ns
IDss (min)
1uA
Id(im)
230A
Marcação na caixa
4804NG
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Nota
serigrafia/código SMD 4804NG
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
107W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
ID pulse 230A
Td(desligado)
24 ns
Td(ligado)
18 ns
Tecnologia
Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2.5V
Vgs(th) mín.
1.5V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor