Transistor de canal N NP82N055PUG, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V. DI (T=25°C): 82A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 4.1m Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): MP-25ZP. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 6400pF. Condicionamento: rolo. Custo): 465pF. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Função: Ultra Low On-Resistance. IDss (min): 1uA. Id(im): 328A. Marcação na caixa: 82N055. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 142W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: transistor MOSFET. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Temperatura: +175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 900. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Renesas Technology. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 22:29