Transistor de canal N NDB6030L, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=25°C): 52A. Idss (máx.): 52A. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Função: Modo de aprimoramento de nível lógico. Id(im): 156A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: National Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:01