Transistor de canal N MTP3055VL, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

Transistor de canal N MTP3055VL, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.47€
5-24
1.22€
25-49
1.05€
50+
0.97€
Quantidade em estoque: 16

Transistor de canal N MTP3055VL, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 410pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 114pF. Diodo Trr (mín.): 55.7 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 10uA. Id(im): 45A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Transistor fechado de nível lógico. Td(desligado): 14 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 15V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30

Documentação técnica (PDF)
MTP3055VL
33 parâmetros
DI (T=100°C)
8A
DI (T=25°C)
12A
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
0.10 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
60V
C (pol.)
410pF
Condicionamento
tubo de plástico
Custo)
114pF
Diodo Trr (mín.)
55.7 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
10uA
Id(im)
45A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
48W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Transistor fechado de nível lógico
Td(desligado)
14 ns
Td(ligado)
9 ns
Tecnologia
Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
15V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
50
Vgs(th) máx.
2V
Vgs(th) mín.
1V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor