Transistor de canal N MMBF5458, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V

Transistor de canal N MMBF5458, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.19€
5-24
0.13€
25-49
0.12€
50+
0.11€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 2719

Transistor de canal N MMBF5458, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (máx.): 9mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 25V. C (pol.): 4.5pF. Função: Uni sym. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Marcação na caixa: 61 S. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: serigrafia/código SMD 61S. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 2mA. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: não. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Tecnologia: transistor JFET de uso geral. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 7V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1V. Tensão porta/fonte Vgs: 3.5V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 18:37

Documentação técnica (PDF)
MMBF5458
25 parâmetros
Idss (máx.)
9mA
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão Vds(máx.)
25V
C (pol.)
4.5pF
Função
Uni sym
IDss (min)
2mA
IGF
10mA
Marcação na caixa
61 S
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Nota
serigrafia/código SMD 61S
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
2mA
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
não
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Tecnologia
transistor JFET de uso geral
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte (desligada) máx.
7V
Tensão porta/fonte (desligada) mín.
1V
Tensão porta/fonte Vgs
3.5V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
JFET
Produto original do fabricante
Fairchild

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