Transistor de canal N MMBF170LT1G, SOT-23, TO-236AB, 60V

Transistor de canal N MMBF170LT1G, SOT-23, TO-236AB, 60V

Quantidade
Preço unitário
1-99
0.27€
100-999
0.21€
1000-2999
0.13€
3000+
0.12€
Quantidade em estoque: 8074

Transistor de canal N MMBF170LT1G, SOT-23, TO-236AB, 60V. Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 10 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 60pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 0.5A. Marcação do fabricante: 6Z. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Produto original do fabricante: Onsemi. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:45

MMBF170LT1G
17 parâmetros
Carcaça
SOT-23
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-236AB
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
60V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
10 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
60pF
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
5 Ohms @ 0.2A
Dissipação máxima Ptot [W]
0.225W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
0.5A
Marcação do fabricante
6Z
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
10 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
3V
Produto original do fabricante
Onsemi