Transistor de canal N MDF9N50TH, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Transistor de canal N MDF9N50TH, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.13€
5-24
1.76€
25-49
1.57€
50+
1.47€
Quantidade em estoque: 47

Transistor de canal N MDF9N50TH, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 5.5A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. On-resistência Rds On: 0.72 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 780pF. Custo): 100pF. Diodo Trr (mín.): 272 ns. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 28nC, Crss baixo 24pF. IDss (min): 1uA. Id(im): 36A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: +55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Magnachip Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30

Documentação técnica (PDF)
MDF9N50TH
30 parâmetros
DI (T=100°C)
5.5A
DI (T=25°C)
9A
Idss (máx.)
9A
On-resistência Rds On
0.72 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220F
Tensão Vds(máx.)
500V
C (pol.)
780pF
Custo)
100pF
Diodo Trr (mín.)
272 ns
Função
Troca rápida, carga de porta baixa 28nC, Crss baixo 24pF
IDss (min)
1uA
Id(im)
36A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
38W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
38 ns
Td(ligado)
18 ns
Tecnologia
DMOS, QFET
Temperatura operacional
+55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Magnachip Semiconductor