Transistor de canal N MDF11N65B, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 0.45 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO220F. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 1650pF. Custo): 180pF. Diodo Trr (mín.): 355 ns. Função: SMPS, comutação de alta velocidade. IDss (min): 1uA. Id(im): 48A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 49.6W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. RoHS: sim. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Td(desligado): 132 ns. Td(ligado): 27 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Magnachip Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30