Transistor de canal N MBQ60T65PES, 60A, TO-247, TO-247, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 650V. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente do coletor: 100A. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: não. Ic(pulso): 180A. Marcação na caixa: 60T65PES. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 535W. RoHS: sim. Td(desligado): 142ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.4V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Unidade de condicionamento: 30. Produto original do fabricante: Magnachip Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:35