Transistor de canal N J112, TO-92, 5mA, TO-92 Ammo-Pak, 35V

Transistor de canal N J112, TO-92, 5mA, TO-92 Ammo-Pak, 35V

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Transistor de canal N J112, TO-92, 5mA, TO-92 Ammo-Pak, 35V. Carcaça: TO-92. Idss (máx.): 5mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 Ammo-Pak. Tensão Vds(máx.): 35V. C (pol.): 28pF. Corrente de drenagem: 5mA. Custo): 5pF. Embalagem: -. Função: Up 4.5V. IGF: 50mA. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Polaridade: unipolar. Potência: 350mW. Quantidade por caixa: 1. Resistência no estado: 50 Ohms. RoHS: sim. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de fonte de porta: -35V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: N-JFET. Viagem de corrente: 50mA. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11

Documentação técnica (PDF)
J112
24 parâmetros
Carcaça
TO-92
Idss (máx.)
5mA
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92 Ammo-Pak
Tensão Vds(máx.)
35V
C (pol.)
28pF
Corrente de drenagem
5mA
Custo)
5pF
Função
Up 4.5V
IGF
50mA
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.625W
Polaridade
unipolar
Potência
350mW
Quantidade por caixa
1
Resistência no estado
50 Ohms
RoHS
sim
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão de fonte de porta
-35V
Tensão porta/fonte (desligada) máx.
5V
Tensão porta/fonte (desligada) mín.
1V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
N-JFET
Viagem de corrente
50mA
Produto original do fabricante
Fairchild