Transistor de canal N J107, TO-92, 8 Ohms, TO-92, 25V

Transistor de canal N J107, TO-92, 8 Ohms, TO-92, 25V

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Transistor de canal N J107, TO-92, 8 Ohms, TO-92, 25V. Carcaça: TO-92. On-resistência Rds On: 8 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 25V. C (pol.): 160pF. Corrente máxima de drenagem: 0.1A. Custo): 35pF. IDss (min): 100mA. IGF: 50mA. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: não. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 5 ns. Td(ligado): 6 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 4.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.5V. Tensão porta/fonte Vgs: 0.7V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Produto original do fabricante: Siliconix. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11

Documentação técnica (PDF)
J107
25 parâmetros
Carcaça
TO-92
On-resistência Rds On
8 Ohms
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92
Tensão Vds(máx.)
25V
C (pol.)
160pF
Corrente máxima de drenagem
0.1A
Custo)
35pF
IDss (min)
100mA
IGF
50mA
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
350mW
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
não
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
5 ns
Td(ligado)
6 ns
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte (desligada) máx.
4.5V
Tensão porta/fonte (desligada) mín.
0.5V
Tensão porta/fonte Vgs
0.7V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
JFET
Produto original do fabricante
Siliconix