Transistor de canal N IXTP90N055T2, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 90A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 2770pF. Custo): 420pF. Diodo Trr (mín.): 37 ns. Função: N-Channel Enhancement Mode. IDss (min): 2uA. Id(im): 240A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: TrenchT2TM Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11