Transistor de canal N IXTP50N25T, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 92 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 300V. C (pol.): 4000pF. Custo): 420pF. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Função: N-Channel Enhancement Mode. IDss (min): 1uA. Id(im): 130A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 97 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11