Transistor de canal N IXTP36N30P, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-220, TO-220, 300V. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 92m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 300V. C (pol.): 2250pF. Custo): 370pF. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Função: N-Channel Enhancement Mode. IDss (min): 1uA. Id(im): 90A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 97 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11