Transistor de canal N IXTH96N20P, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 96A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 24m Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 4800pF. Custo): 1020pF. Diodo Trr (mín.): 160 ns. Função: N-Channel Enhancement Mode. IDss (min): 25uA. Id(im): 225A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 75 ns. Td(ligado): 28 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2.5V. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11