Transistor de canal N IXGH32N60BU1, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V

Transistor de canal N IXGH32N60BU1, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
20.74€
5-9
19.75€
10-24
17.52€
25+
16.25€
Quantidade em estoque: 23

Transistor de canal N IXGH32N60BU1, 32A, TO-247, TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT, 600V. Ic(T=100°C): 32A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 2700pF. Corrente do coletor: 60A. Custo): 270pF. Diodo CE: sim. Diodo Trr (mín.): 120ns. Diodo de germânio: -. Função: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Ic(pulso): 60.4k Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 25 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.3V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 19:59

Documentação técnica (PDF)
IXGH32N60BU1
24 parâmetros
Ic(T=100°C)
32A
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT
Tensão do coletor/emissor Vceo
600V
C (pol.)
2700pF
Corrente do coletor
60A
Custo)
270pF
Diodo CE
sim
Diodo Trr (mín.)
120ns
Função
Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed)
Ic(pulso)
60.4k Ohms
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
200W
RoHS
sim
Td(desligado)
100 ns
Td(ligado)
25 ns
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
2.3V
Tensão porta/emissor VGE(th) min.
2.5V
Tensão porta/emissor VGE(th)máx.
5V
Tensão porta/emissor VGE
20V
Tipo de canal
N
Produto original do fabricante
IXYS