Transistor de canal N IXGH24N60CD1, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V

Transistor de canal N IXGH24N60CD1, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
13.58€
5-24
12.57€
25-49
11.02€
50+
10.21€
Quantidade em estoque: 34

Transistor de canal N IXGH24N60CD1, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V. Ic(T=100°C): 24A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AD ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 1500pF. Corrente do coletor: 48A. Custo): 170pF. Diodo CE: sim. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Diodo de germânio: não. Função: HiPerFAST IGBT with Diode. Ic(pulso): 80A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: Transistor HiPerFAST IGBT. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Td(desligado): 75 ns. Td(ligado): 15 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 19:59

Documentação técnica (PDF)
IXGH24N60CD1
26 parâmetros
Ic(T=100°C)
24A
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247 ( AD )
Tensão do coletor/emissor Vceo
600V
C (pol.)
1500pF
Corrente do coletor
48A
Custo)
170pF
Diodo CE
sim
Diodo Trr (mín.)
130 ns
Diodo de germânio
não
Função
HiPerFAST IGBT with Diode
Ic(pulso)
80A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Nota
Transistor HiPerFAST IGBT
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
150W
Td(desligado)
75 ns
Td(ligado)
15 ns
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
2.1V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
2.5V
Tensão porta/emissor VGE(th) min.
2.5V
Tensão porta/emissor VGE(th)máx.
5.5V
Tensão porta/emissor VGE
20V
Tipo de canal
N
Produto original do fabricante
IXYS