Transistor de canal N IXFR200N10P, 75A, 133A, 1mA, 0.009 Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100V. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 133A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 0.009 Ohms. Carcaça: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 7600pF. Custo): 2900pF. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Função: Superfície traseira eletricamente isolada. IDss (min): 25uA. Id(im): 400A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: tensão de isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: Polar HiPerFet Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11