Transistor de canal N IXFR180N15P, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V

Transistor de canal N IXFR180N15P, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V

Quantidade
Preço unitário
1-4
29.23€
5-9
27.32€
10-19
25.79€
20-29
24.56€
30+
22.70€
Quantidade em estoque: 10

Transistor de canal N IXFR180N15P, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 100A. Idss (máx.): 1.5mA. On-resistência Rds On: 13m Ohms. Carcaça: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOPLUS247. Tensão Vds(máx.): 150V. C (pol.): 7000pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 2250pF. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Função: Superfície traseira eletricamente isolada. IDss (min): 25uA. Id(im): 380A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: tensão de isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: Polar HiPerFet Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 30. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11

Documentação técnica (PDF)
IXFR180N15P
34 parâmetros
DI (T=100°C)
75A
DI (T=25°C)
100A
Idss (máx.)
1.5mA
On-resistência Rds On
13m Ohms
Carcaça
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Habitação (conforme ficha técnica)
ISOPLUS247
Tensão Vds(máx.)
150V
C (pol.)
7000pF
Condicionamento
tubo de plástico
Custo)
2250pF
Diodo Trr (mín.)
200 ns
Função
Superfície traseira eletricamente isolada
IDss (min)
25uA
Id(im)
380A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Nota
tensão de isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
300W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
dv/dt 10V/ns
Td(desligado)
150 ns
Td(ligado)
30 ns
Tecnologia
Polar HiPerFet Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
30
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
2.5V
Produto original do fabricante
IXYS