Transistor de canal N IXFR120N20P, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V

Transistor de canal N IXFR120N20P, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V

Quantidade
Preço unitário
1-4
16.43€
5-9
14.62€
10-14
13.52€
15-29
12.81€
30+
11.82€
Quantidade em estoque: 9

Transistor de canal N IXFR120N20P, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V. DI (T=25°C): 105A. Idss (máx.): 2uA. On-resistência Rds On: 17m Ohms. Carcaça: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 9100pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 2200pF. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Função: Superfície traseira eletricamente isolada. IDss (min): 100uA. Id(im): 480A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: tensão de isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 400W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: Polar HiPerFet Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 30. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11

Documentação técnica (PDF)
IXFR120N20P
33 parâmetros
DI (T=25°C)
105A
Idss (máx.)
2uA
On-resistência Rds On
17m Ohms
Carcaça
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Habitação (conforme ficha técnica)
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Tensão Vds(máx.)
200V
C (pol.)
9100pF
Condicionamento
tubo de plástico
Custo)
2200pF
Diodo Trr (mín.)
250 ns
Função
Superfície traseira eletricamente isolada
IDss (min)
100uA
Id(im)
480A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Nota
tensão de isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
400W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
dv/dt 5V/ns
Td(desligado)
110 ns
Td(ligado)
40 ns
Tecnologia
Polar HiPerFet Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
30
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
IXYS