Transistor de canal N IXFN520N075T2, SOT-227B (ISOTOP), 75V. Carcaça: SOT-227B (ISOTOP). Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 75V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 80 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 41000pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Dissipação máxima Ptot [W]: 940W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 480A. Marcação do fabricante: GigaMOS. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 48 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:25