Transistor de canal N IXFK64N60P, TO-264AA, 600V

Transistor de canal N IXFK64N60P, TO-264AA, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-9
40.25€
10+
33.52€
Quantidade em estoque: 25

Transistor de canal N IXFK64N60P, TO-264AA, 600V. Carcaça: TO-264AA. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 79 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 12000pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Dissipação máxima Ptot [W]: 1040W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 64A. Marcação do fabricante: IXFK64N60P. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 28 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:06

Documentação técnica (PDF)
IXFK64N60P
16 parâmetros
Carcaça
TO-264AA
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
600V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
79 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
12000pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.096 Ohms @ 32A
Dissipação máxima Ptot [W]
1040W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
64A
Marcação do fabricante
IXFK64N60P
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
28 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
5V
Produto original do fabricante
IXYS