Transistor de canal N IXFK64N50P, TO-264 ( TOP-3L ), 500V, 64A, 1mA, 85m Ohms, TO-264AA, 500V
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Transistor de canal N IXFK64N50P, TO-264 ( TOP-3L ), 500V, 64A, 1mA, 85m Ohms, TO-264AA, 500V. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 85m Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Tensão Vds(máx.): 500V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 85 ns. C (pol.): 7900pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 9700pF. Condicionamento: tubo de plástico. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 32A. Custo): 790pF. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 830W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 64A. IDss (min): 25uA. Id(im): 150A. Marcação do fabricante: IXFK64N50P. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 830W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: dv/dt 20V/ns. Td(desligado): 85 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5.5V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 25. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11