Transistor de canal N IXFK48N50, TO-264 ( TOP-3L ), 500V, 48A, 2mA, 0.10 Ohms, TO-264AA, 500V. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. DI (T=25°C): 48A. Idss (máx.): 2mA. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Tensão Vds(máx.): 500V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 100 ns. C (pol.): 8400pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 8400pF. Condicionamento: tubo de plástico. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22A. Custo): 900pF. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 500W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Função: F-Class--MHz Switching. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 44A. IDss (min): 400uA. Id(im): 192A. Marcação do fabricante: IXFK48N50. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 500W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 25. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11