Transistor de canal N IXFK34N80, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. DI (T=25°C): 34A. Idss (máx.): 2mA. On-resistência Rds On: 0.24 Ohms. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 7500pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 920pF. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Função: -. IDss (min): 100uA. Id(im): 136A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 560W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 25. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:38