Transistor de canal N IXFH26N60Q, 26A, 1mA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247AD, 600V. DI (T=25°C): 26A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 0.25 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 4700pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 580pF. Diodo Trr (mín.): 250 ns. IDss (min): 25uA. Id(im): 104A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 360W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: dv/dt 10V/ns. Td(desligado): 80 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 30. Vgs(th) mín.: 2.5V. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11