Transistor de canal N IXFA130N10T2, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V. DI (T=25°C): 130A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 0.01 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 6600pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 640pF. Diodo Trr (mín.): 100 ns. IDss (min): 10uA. Id(im): 300A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 360W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 24 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11