Transistor de canal N IRLZ44N, 33A, 47A, 250uA, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Transistor de canal N IRLZ44N, 33A, 47A, 250uA, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.35€
5-24
1.17€
25-49
1.03€
50-99
0.90€
100+
0.74€
Quantidade em estoque: 238

Transistor de canal N IRLZ44N, 33A, 47A, 250uA, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 33A. DI (T=25°C): 47A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.022 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1700pF. Custo): 400pF. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Função: Controle de portão por nível lógico. IDss (min): 25uA. Id(im): 160A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:38

Documentação técnica (PDF)
IRLZ44N
30 parâmetros
DI (T=100°C)
33A
DI (T=25°C)
47A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.022 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
55V
C (pol.)
1700pF
Custo)
400pF
Diodo Trr (mín.)
80 ns
Função
Controle de portão por nível lógico
IDss (min)
25uA
Id(im)
160A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
110W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
26 ns
Td(ligado)
11 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
16V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2V
Vgs(th) mín.
1V
Produto original do fabricante
International Rectifier