Transistor de canal N IRLZ34N, TO-220, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220AB, 55V. Carcaça: TO-220. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.035 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 880pF. Cobrar: 16.7nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 27A. Custo): 220pF. Diodo Trr (mín.): 76 ns. Função: Controle de portão por nível lógico. IDss (min): 25uA. Id(im): 110A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. Polaridade: unipolar. Potência: 56W. Propriedades do semicondutor: Nível Lógico. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência térmica da habitação: 2.7K/W. RoHS: sim. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 8.9 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: 55V. Tensão de fonte de porta: 16V, ±16V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:38