Transistor de canal N IRLZ24NPBF, TO220AB, 55V, 55V. Carcaça: TO220AB. Vdss (dreno para tensão da fonte): 55V. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 20 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 480pF. Características: -. Cobrar: 10nC. Condicionamento: tubus. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 11A. Corrente de drenagem: 18A. Dissipação máxima Ptot [W]: 45W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 18A. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 18A. Informação: -. MSL: -. Marcação do fabricante: IRLZ24NPBF. Montagem/instalação: THT. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Polaridade: unipolar. Potência: 45W. Propriedades do semicondutor: Nível Lógico. Resistência térmica da habitação: 3.3K/W. RoHS: não. Série: HEXFET. Tecnologia: HEXFET®. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.1 ns. Tensão da fonte de drenagem: 55V. Tensão de fonte de porta: 16V, ±16V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tipo de montagem: THT. Tipo de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:06