Transistor de canal N IRLZ24N, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Transistor de canal N IRLZ24N, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.08€
5-24
0.93€
25-49
0.82€
50-99
0.73€
100+
0.63€
Quantidade em estoque: 181

Transistor de canal N IRLZ24N, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 8.5A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 480pF. Custo): 130pF. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Função: Controle de portão por nível lógico. IDss (min): 25uA. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 47W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 7.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:38

Documentação técnica (PDF)
IRLZ24N
26 parâmetros
DI (T=100°C)
8.5A
DI (T=25°C)
17A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.075 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
55V
C (pol.)
480pF
Custo)
130pF
Diodo Trr (mín.)
60 ns
Função
Controle de portão por nível lógico
IDss (min)
25uA
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
47W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
20 ns
Td(ligado)
7.1 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Tensão porta/fonte Vgs
16V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2V
Vgs(th) mín.
1V
Produto original do fabricante
International Rectifier