Transistor de canal N IRLR8726TRPBF, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Transistor de canal N IRLR8726TRPBF, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Quantidade
Preço unitário
1-1
0.60€
2-4
0.49€
5-49
0.43€
50-99
0.39€
100+
0.34€
Quantidade em estoque: 178

Transistor de canal N IRLR8726TRPBF, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 61A. DI (T=25°C): 86A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 4m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 2150pF. Custo): 480pF. Diodo Trr (mín.): 24 ns. Equivalentes: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Função: RDS muito baixa na resistência a 4,5V VGs. IDss (min): 1uA. Id(im): 340A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Impedância de porta ultrabaixa. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:38

IRLR8726TRPBF
32 parâmetros
DI (T=100°C)
61A
DI (T=25°C)
86A
Idss (máx.)
150uA
On-resistência Rds On
4m Ohms
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tensão Vds(máx.)
30 v
C (pol.)
2150pF
Custo)
480pF
Diodo Trr (mín.)
24 ns
Equivalentes
IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF
Função
RDS muito baixa na resistência a 4,5V VGs
IDss (min)
1uA
Id(im)
340A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
75W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Impedância de porta ultrabaixa
Td(desligado)
15 ns
Td(ligado)
12 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2.35V
Vgs(th) mín.
1.35V
Produto original do fabricante
International Rectifier