Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.62€ | 0.76€ |
10 - 24 | 0.59€ | 0.73€ |
25 - 49 | 0.55€ | 0.68€ |
50 - 98 | 0.52€ | 0.64€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.62€ | 0.76€ |
10 - 24 | 0.59€ | 0.73€ |
25 - 49 | 0.55€ | 0.68€ |
50 - 98 | 0.52€ | 0.64€ |
Transistor de canal N, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v - IRLR8726TRPBF. Transistor de canal N, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 61A. DI (T=25°C): 86A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 4m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 2150pF. Custo): 480pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 340A. IDss (min): 1uA. Equivalentes: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Spec info: Impedância de porta ultrabaixa. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 22/04/2025, 23:25.
Informações e ajuda técnica
Pagamento e entrega
Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!
Todos os direitos reservados, RPtronics, 2024.