Transistor de canal N IRLR8721, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Transistor de canal N IRLR8721, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v

Quantidade
Preço unitário
1-1
1.24€
2-4
1.24€
5-49
1.02€
50-99
0.87€
100+
0.73€
Quantidade em estoque: 24

Transistor de canal N IRLR8721, 46A, 65A, 150uA, 6.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 46A. DI (T=25°C): 65A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 6.3m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1030pF. Custo): 350pF. Diodo Trr (mín.): 17 ns. Função: RDS muito baixa na resistência a 4,5V VGs. IDss (min): 1uA. Id(im): 260A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Impedância de porta ultrabaixa. Td(desligado): 9.4 ns. Td(ligado): 8.8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.35V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:38

Documentação técnica (PDF)
IRLR8721
31 parâmetros
DI (T=100°C)
46A
DI (T=25°C)
65A
Idss (máx.)
150uA
On-resistência Rds On
6.3m Ohms
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tensão Vds(máx.)
30 v
C (pol.)
1030pF
Custo)
350pF
Diodo Trr (mín.)
17 ns
Função
RDS muito baixa na resistência a 4,5V VGs
IDss (min)
1uA
Id(im)
260A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
65W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Impedância de porta ultrabaixa
Td(desligado)
9.4 ns
Td(ligado)
8.8 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2.35V
Vgs(th) mín.
1.35V
Produto original do fabricante
International Rectifier