Transistor de canal N IRLR3410, 12A, 17A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

Transistor de canal N IRLR3410, 12A, 17A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.06€
5-49
0.84€
50-99
0.71€
100+
0.63€
Quantidade em estoque: 28

Transistor de canal N IRLR3410, 12A, 17A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.105 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 800pF. Custo): 160pF. Diodo Trr (mín.): 140 ns. Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida. IDss (min): 25uA. Id(im): 60A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Controle de portão por nível lógico. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 7.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:38

Documentação técnica (PDF)
IRLR3410
31 parâmetros
DI (T=100°C)
12A
DI (T=25°C)
17A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.105 Ohms
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tensão Vds(máx.)
100V
C (pol.)
800pF
Custo)
160pF
Diodo Trr (mín.)
140 ns
Função
Resistência ultrabaixa, comutação rápida
IDss (min)
25uA
Id(im)
60A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
79W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Controle de portão por nível lógico
Td(desligado)
30 ns
Td(ligado)
7.2 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
16V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2V
Vgs(th) mín.
1V
Produto original do fabricante
International Rectifier