Transistor de canal N IRLR3110ZPBF, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

Transistor de canal N IRLR3110ZPBF, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.43€
5-49
2.04€
50-99
1.73€
100-199
1.47€
200+
1.12€
Quantidade em estoque: 2247

Transistor de canal N IRLR3110ZPBF, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. DI (T=100°C): 45A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.105 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 3980pF. Custo): 170pF. Diodo Trr (mín.): 34-51 ns. Equivalentes: IRLR3110ZPbF. Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida. IDss (min): 25uA. Id(im): 250A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 7.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: ±16. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:38

IRLR3110ZPBF
32 parâmetros
DI (T=100°C)
45A
DI (T=25°C)
42A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.105 Ohms
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tensão Vds(máx.)
100V
C (pol.)
3980pF
Custo)
170pF
Diodo Trr (mín.)
34-51 ns
Equivalentes
IRLR3110ZPbF
Função
Resistência ultrabaixa, comutação rápida
IDss (min)
25uA
Id(im)
250A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
79W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Ultra Low On-Resistance
Td(desligado)
30 ns
Td(ligado)
7.2 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
±16
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2.5V
Vgs(th) mín.
1V
Produto original do fabricante
International Rectifier