Transistor de canal N IRLR2905Z, D-PAK ( TO-252 ), 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Transistor de canal N IRLR2905Z, D-PAK ( TO-252 ), 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.82€
5-49
1.54€
50-99
1.36€
100-199
1.22€
200+
1.04€
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Transistor de canal N IRLR2905Z, D-PAK ( TO-252 ), 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). DI (T=100°C): 43A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 11m Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1570pF. Cobrar: 23nC. Corrente de drenagem: 60A. Custo): 230pF. Diodo Trr (mín.): 22ms. Equivalentes: IRLR2905ZTRPBF. Função: Controle de portão por nível lógico. IDss (min): 20uA. Id(im): 240A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. Polaridade: unipolar. Potência: 110W. Propriedades do semicondutor: Nível Lógico. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(desligado): 24 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: 55V. Tensão de fonte de porta: ±16V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:38

Documentação técnica (PDF)
IRLR2905Z
39 parâmetros
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
DI (T=100°C)
43A
DI (T=25°C)
42A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
11m Ohms
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tensão Vds(máx.)
55V
C (pol.)
1570pF
Cobrar
23nC
Corrente de drenagem
60A
Custo)
230pF
Diodo Trr (mín.)
22ms
Equivalentes
IRLR2905ZTRPBF
Função
Controle de portão por nível lógico
IDss (min)
20uA
Id(im)
240A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
110W
Polaridade
unipolar
Potência
110W
Propriedades do semicondutor
Nível Lógico
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
AUTOMOTIVE MOSFET
Td(desligado)
24 ns
Td(ligado)
14 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão da fonte de drenagem
55V
Tensão de fonte de porta
±16V
Tensão porta/fonte Vgs
16V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
3V
Vgs(th) mín.
1V
Produto original do fabricante
International Rectifier

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