Transistor de canal N IRLR2905, D-PAK ( TO-252 ), 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Transistor de canal N IRLR2905, D-PAK ( TO-252 ), 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.19€
5-49
1.01€
50-99
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100-199
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200+
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Transistor de canal N IRLR2905, D-PAK ( TO-252 ), 30A, 42A, 250uA, 0.027 Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.027 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1700pF. Cobrar: 32nC. Condicionamento: rolo. Corrente de drenagem: 42A. Custo): 400pF. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida. IDss (min): 25uA. Id(im): 160A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. Polaridade: unipolar. Potência: 110W. Propriedades do semicondutor: Nível Lógico. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência térmica da habitação: 1.8K/W. RoHS: sim. Spec info: Controle de portão por nível lógico. Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: 55V. Tensão de fonte de porta: 16V, ±16V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 2000. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:38

Documentação técnica (PDF)
IRLR2905
41 parâmetros
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
DI (T=100°C)
30A
DI (T=25°C)
42A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.027 Ohms
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tensão Vds(máx.)
55V
C (pol.)
1700pF
Cobrar
32nC
Condicionamento
rolo
Corrente de drenagem
42A
Custo)
400pF
Diodo Trr (mín.)
80 ns
Função
Resistência ultrabaixa, comutação rápida
IDss (min)
25uA
Id(im)
160A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
110W
Polaridade
unipolar
Potência
110W
Propriedades do semicondutor
Nível Lógico
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Resistência térmica da habitação
1.8K/W
RoHS
sim
Spec info
Controle de portão por nível lógico
Td(desligado)
26 ns
Td(ligado)
11 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão da fonte de drenagem
55V
Tensão de fonte de porta
16V, ±16V
Tensão porta/fonte Vgs
16V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
2000
Vgs(th) máx.
2V
Vgs(th) mín.
1V
Produto original do fabricante
International Rectifier