Transistor de canal N IRLR2705PBF, TO252AA, DPAK. Carcaça: TO252AA, DPAK. Cobrar: 16.7nC. Corrente de drenagem: 28A. Montagem/instalação: SMD. Polaridade: unipolar. Potência: 68W. Propriedades do semicondutor: Nível Lógico. Resistência térmica da habitação: 2.7K/W. RoHS: sim. Tecnologia: HEXFET®. Tensão da fonte de drenagem: 55V. Tensão de fonte de porta: 16V, ±16V. Tipo de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Produto original do fabricante: Infineon (irf). Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 03:09