Transistor de canal N IRLR2705, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Transistor de canal N IRLR2705, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.03€
5-24
0.84€
25-49
0.73€
50-99
0.67€
100+
0.56€
Quantidade em estoque: 15

Transistor de canal N IRLR2705, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.04 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 880pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 220pF. Diodo Trr (mín.): 76 ns. Função: Unidade de porta de nível lógico, comutação rápida. IDss (min): 25uA. Id(im): 110A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: baixa resistência R-on 0,040 Ohms. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 8.9 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 75. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:38

Documentação técnica (PDF)
IRLR2705
33 parâmetros
DI (T=100°C)
20A
DI (T=25°C)
28A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.04 Ohms
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tensão Vds(máx.)
55V
C (pol.)
880pF
Condicionamento
tubo de plástico
Custo)
220pF
Diodo Trr (mín.)
76 ns
Função
Unidade de porta de nível lógico, comutação rápida
IDss (min)
25uA
Id(im)
110A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
68W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
baixa resistência R-on 0,040 Ohms
Td(desligado)
21 ns
Td(ligado)
8.9 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
16V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
75
Vgs(th) máx.
2V
Vgs(th) mín.
1V
Produto original do fabricante
International Rectifier