Transistor de canal N IRLR120N, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

Transistor de canal N IRLR120N, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.09€
5-24
0.93€
25-49
0.82€
50-99
0.74€
100+
0.62€
Quantidade em estoque: 64

Transistor de canal N IRLR120N, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.185 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 440pF. Custo): 97pF. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Equivalentes: IRLR120NTRPBF. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 35A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Controle de portão por nível lógico. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 4 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:38

Documentação técnica (PDF)
IRLR120N
32 parâmetros
DI (T=100°C)
7A
DI (T=25°C)
10A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.185 Ohms
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tensão Vds(máx.)
100V
C (pol.)
440pF
Custo)
97pF
Diodo Trr (mín.)
110 ns
Equivalentes
IRLR120NTRPBF
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
25uA
Id(im)
35A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
48W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Controle de portão por nível lógico
Td(desligado)
23 ns
Td(ligado)
4 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
16V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2V
Vgs(th) mín.
1V
Produto original do fabricante
International Rectifier